IV 掩模 是6英寸见方、1/4英寸厚的低热膨胀材料，具有多层反射涂层和蚀刻到电路层中的吸收层。 EUV 掩模的反射图像进入投影光学器件，该投影光学器件包括六个或更多多层反射镜，并且 NA > 0.25。
最终图像聚焦在涂有光敏或光敏抗蚀剂的硅晶片上。该系统 以色列电报号码数据库 在低碳氢化合物、高真空环境中运行
需要克服的众多挑战包括开发具有成本效益的光源基础设施、抗蚀剂和掩模以及光刻工具
电阻材料必须同时具有高分辨率、高灵敏度、低线边缘粗糙度 (LER) 和低释气。
EUV光刻市场预计将从2018年的29.8亿美元增长到2023年的103.1亿美元，复合年增长率为28.16% 。
EUVL 的一个主要障碍是需要高功率光源来照亮光敏电阻。 ASML导航设备具有250W辐射 功率并能够产生450W辐射。
EUVL 的另一个挑战是所有材料对 EUV 辐射的强烈吸收。 EUV 抗蚀剂的结构是 在抗蚀剂表面印刷非常薄的成像层。此外，EUV 光刻胶材料也需要随着光源技术的即将发展而发展 。